CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究

• 作者: 史琪 李雄军 杨超伟 林占文 林阳 耿松 胡彦博 韩福忠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 长波碲镉汞 溅射功率 CdTe钝化膜 界面电学特性 I-V C-V
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 733-738
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 3362字
• 语种: 中文

摘要

采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响.结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×1011 cm-2增大到了2.83×1011 cm-2;慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	韩福忠		19	61	5.0	6.0
3	史琪		5	5	1.0	2.0
4	胡彦博		8	16	3.0	3.0
5	杨超伟		3	0	0.0	0.0
6	耿松		4	5	1.0	2.0
7	林占文		3	1	1.0	1.0
8	林阳		1	0	0.0	0.0