半导体前置光放大器的设计和制作要点

• 作者: 左成亮 李洵 董智星
• 来源期刊: 中兴通讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 接收端前置放大 ASE噪声 增益偏振相关度 增益-带宽积 饱和功率
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 专题:5G回传网络光电子器件技术
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TN929.5
• 字数: 5596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6868.2018.04.003

摘要

介绍了用于接收端探测器前置放大的半导体光放大器的核心设计要点及其与普通半导体激光器在实际制作中的几个不同点.半导体前置光放大器的设计核心是如何抑制其中的自发辐射并被伴随放大的噪声,对于边入射型的器件还要考虑其增益偏振相关性的消除.半导体光放大器一般具有少阱和低光场限制因子的长增益区结构,在这点上它与高速直调半导体激光器有着最大的区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左成亮	华中科技大学武汉光电国家实验室武汉光电国家研究中心	1	0	0.0	0.0
2	董智星	华中科技大学武汉光电国家实验室武汉光电国家研究中心	1	0	0.0	0.0