基于Callaway模型InGaN材料导热系数的理论研究

• 作者: 孟帆帆 宋江 王保柱 王敏 范振凯
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Callaway模型 InGaN 导热系数
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 929-933,941
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2|O472+.2
• 字数: 3696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.05.008

摘要

由于InGaN材料的禁带宽度调节范围大,热稳定性好,化学性质稳定,因此在微电子、光电子和热电领域的高温区有良好的应用前景.基于Callaway导热系数模型从理论上计算了体材料和薄膜材料InGaN的导热系数,分析了温度、In组分和边界尺寸对InGaN导热系数的影响.研究结果表明,温度大于100 K时,不同组分的InGaN材料导热系数随温度的上升而下降,300 K时,体材料In0.1Ga09N的热导系数为90.15 W·m-1·K-1,比相同温度下GaN的导热系数小一半,200 nm的In01Ga0.9N热导系数为30.68 W·m-1·K-1.InGaN合金的热导系数随着In组分先变小再变大,理论计算结果表明In0.6Ga04N的导热系数最小,300 K时,体材料的导热系数为14.52 W·m-1·K-1,200 nm的薄膜材料导热系数为4.02 W·m-1·K-1,理论计算结果与文献报道的实验结果是合理一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王敏	河北科技大学信息科学与工程学院	19	14	2.0	3.0
2	王保柱	河北科技大学信息科学与工程学院	12	31	3.0	5.0
3	孟帆帆	河北科技大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
4	宋江	河北科技大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
5	范振凯	河北科技大学信息科学与工程学院	1	1	1.0	1.0