真空纳米三极管进展及技术分析

• 作者: 李兴辉 王刚
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空电子器件 固态电子器件 真空纳米三极管 高速 抗辐射 大气环境
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米真空电子器件专辑
• 页码范围: 13-19,36
• 页数: 8页
• 分类号: TN12
• 字数: 6788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.03.03

摘要

本文比较了传统真空电子器件和固态电子器件的特点,指出结合二者优势的真空纳米三极管出现并非偶然.基于固态微加工工艺的真空纳米三极管,其本质则是极端微型化的真空器件.文中详细介绍了真空纳米三极管的发展历程,并对器件相关技术问题包括器件工作原理,电子发射机理,器件材料、设计、工艺实现,工作环境影响和器件失效机理进行分析.分析结果表明,集成电路工艺兼容的新型真空纳米三极管具有高速、抗辐射特点,并能在低真空甚至大气环境正常工作,成为新一代集成电路技术中CMOS器件的潜在有力竞争者.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王刚	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	10	18	3.0	4.0
2	李兴辉	北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室	13	81	5.0	9.0