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摘要:
提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO).采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级.EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构.LDO加入了高通耦合结构,实现了低输入电压和全负载范围下的快速瞬态响应.该LDO无需外加偏置网络就能实现自启动.在Dongbu 0.5μm CMOS工艺下,LDO的输入电压为2.2~2.7 V,输出电压为2V.仿真结果表明,在负载电容为100 pF、压差为200 mV的条件下,该LDO可稳定输出0.1~100 mA的负载电流,负载在0.5 μs范围内切换时的电压尖峰在310 mV以内.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种低压快速瞬态响应的片上LDO
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 低输入电压 快速瞬态响应 自启动 低压差线性稳压器
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 364-369
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170391
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 206 1313 17.0 26.0
2 明鑫 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 49 207 7.0 12.0
3 甄少伟 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 36 122 6.0 9.0
4 张家豪 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 3 3 1.0 1.0
5 王卓 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 22 47 4.0 5.0
6 张文林 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
低输入电压
快速瞬态响应
自启动
低压差线性稳压器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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20
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21140
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