平面底栅型真空场发射三极管

• 作者: 吴胜利 张劲涛 王晓 贾东波 龙铭刚
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空场发射三极管 平面底栅结构 电子发射特性 栅极调控机理
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米真空电子器件专辑
• 页码范围: 前插1,1-5
• 页数: 6页
• 分类号: TN11|TN48
• 字数: 629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.03.01

摘要

真空场发射三极管(VFET)是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点.本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究.结果表明,三极管真空沟道中的电子发射为场致电子发射,栅极具有调制作用.所制备的VFET可在0.1 Pa条件下工作,如进一步减小真空沟道尺寸,有望实现大气环境下工作,展现出潜在的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴胜利	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
2	王晓	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	13	75	4.0	8.0
3	张劲涛	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	19	54	4.0	6.0
4	龙铭刚	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	贾东波	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0