快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究

• 作者: 张航 王从杰 白一鸣 贺凯 陈吉堃 陈诺夫 陶泉丽 魏立帅
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基锗薄膜 常规热退火 快速光热退火 光量子效应
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 4179-4183
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12|TM914.4
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.04.033

摘要

采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积 Ge 薄膜.采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理.通过X射线衍射及 Raman 光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用.研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王从杰	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
2	陈诺夫	华北电力大学可再生能源学院	22	33	3.0	4.0
3	魏立帅	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
4	陶泉丽	华北电力大学可再生能源学院	10	13	2.0	3.0
5	贺凯	华北电力大学可再生能源学院	4	7	2.0	2.0
6	张航	华北电力大学可再生能源学院	6	4	2.0	2.0
7	白一鸣	华北电力大学可再生能源学院	20	35	3.0	4.0
8	陈吉堃	北京科技大学材料学院	11	16	2.0	3.0