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基于Al2O3介质的Ga2O3 MOSFET器件制备研究
基于Al2O3介质的Ga2O3 MOSFET器件制备研究
作者:
何泽召
冯志红
吕元杰
周幸叶
宋旭波
王元刚
谭鑫
顾国栋
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化镓
金属氧化物半导体场效应晶体管
漏源饱和电流
栅漏电
摘要:
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga2O3同质衬底上外延得到n型 β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nm Si掺杂沟道层.对掺杂浓度为3.0×1017和1.0×1018cm-3的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×1017 cm-3的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×1018 cm-3的样品实现了欧姆接触最低值(9.8Ω·mm).基于掺杂浓度为1.0×1018 cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的Al2O3作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).栅压为2 V时,器件漏源饱和电流达到108 mA/mm,器件峰值跨导达到17 mS/mm.由于栅漏电特性较差,器件的三端击穿电压仅为23 V@Vgs=-12 V.采用高介电常数的HfO2或者Al2O3/HfO2复合结构作为栅下介质能够改善栅漏电特性,提升器件的击穿性能.
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篇名
基于Al2O3介质的Ga2O3 MOSFET器件制备研究
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
氧化镓
金属氧化物半导体场效应晶体管
漏源饱和电流
栅漏电
年,卷(期)
2018,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
976-980
页数
5页
分类号
TQ174
字数
3143字
语种
中文
DOI
10.15541/jim20170528
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期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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