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摘要:
电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递.基于32 nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传统电平转换电路的影响,并提出应对老化的方案.设计了一种改进的老化容忍的电平转换电路,限制了交叉耦合对的竞争,并采用多阈值技术平衡了功耗与时延.仿真结果表明,与原电路相比,该电路可以在更低的输入电压下正常工作.不同输入电压下,功耗和时延大幅降低.该电路具有很好的老化容忍能力.
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文献信息
篇名 电平转换电路的NBTI老化分析与容忍设计
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 负偏置温度不稳定性 电平转换电路 老化容忍
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 353-358
页数 6页 分类号 TN406
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170340
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄正峰 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 101 590 14.0 19.0
2 易茂祥 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 109 559 12.0 19.0
3 周光辉 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 3 4 2.0 2.0
4 方凯 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 5 14 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
负偏置温度不稳定性
电平转换电路
老化容忍
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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