一种抗单粒子多节点翻转的存储单元

• 作者: 刘琳 岳素格 张晓晨 胡春艳 陆时进
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 存储单元 SEU 多节点翻转 敏感节点对 LET翻转阈值
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 348-352,358
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170371

摘要

为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T).在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存“0”节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁(DICE)存储单元的一半.基于敏感节点对分离和SET缩减原理,进行了加固存储单元版图设计.在相同设计方法下,该存储单元的敏感节点间距是DICE存储单元的3倍.抗SEU仿真结果表明,该存储单元具备单节点翻转全加固能力.全物理模型单粒子瞬态仿真结果表明,该存储单元的线性能量转移(LET)翻转阈值为DICE存储单元的2.8倍,能有效缓解单粒子多节点翻转的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆时进		2	10	1.0	2.0
2	岳素格		28	96	5.0	8.0
3	刘琳		4	4	2.0	2.0
4	胡春艳		1	0	0.0	0.0
5	张晓晨		3	5	1.0	2.0