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摘要:
Mg2Si基半导体是重要的中温热电材料,具有原料丰富、价格低、无毒等优点;其载流子有效质量和迁移率均较高,有望获得优异的电性能,近年来倍受关注.该文综述了Mg2Si基材料的研究进展,重点探讨了提高其热电性能的措施,对比了不同制备方法的优缺点,最后指出了今后的研究方向.分析表明,目前研究主要集中在n型体系,应加强对p型材料的性能优化探索.掺杂对提高热电性能的效果更显著,通过制备工艺的优化,将掺杂和纳米化两种措施结合,可进一步有效优化.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Mg2Si基热电材料的性能优化研究及其进展
来源期刊 电子科技大学学报 学科 工学
关键词 掺杂 Mg2Si 纳米化 热电性能
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 电子信息材料与器件
研究方向 页码范围 753-760
页数 8页 分类号 TN3
字数 7065字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王超 电子科技大学电子科学与工程学院 19 63 4.0 6.0
2 陈君 流体及动力机械教育部重点实验室西华大学材料科学与工程学院 4 21 3.0 4.0
6 严磊 流体及动力机械教育部重点实验室西华大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
7 闵忠华 流体及动力机械教育部重点实验室西华大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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掺杂
Mg2Si
纳米化
热电性能
研究起点
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双月刊
1001-0548
51-1207/T
大16开
成都市成华区建设北路二段四号
62-34
1959
chi
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