氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响

• 作者: 全知觉 吴小明 吴庆丰 周圣军 张建立 潘拴 许毅
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: V坑 氮化镓 绿光LED 空穴电流分布
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 674-680
• 页数: 7页
• 分类号: O482.31|O484.4
• 字数: 3729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183905.0674

摘要

采用实验与理论模拟相结合的方法,研究了氮化镓基绿光发光二极管(LED)中V坑对空穴电流分布的影响.首先,实验获得了V坑面积占比不同的3种样品;然后,建立数值模型,使得理论计算的外量子效率(EQE)及电压与实验测试的变化趋势相匹配,从而确立了所用数值模型的可信性.计算结果显示:V坑改变了空穴电流的分布,空穴电流密度在V坑处显著增加,在平台处明显减小.进一步的分析表明:V坑面积占比在0～10％范围内,V坑空穴电流占比与V坑面积占比之间呈近线性增长(斜率为2.06),但V坑空穴注入在整个空穴注入的过程中仍未占主导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴庆丰	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	4	3	1.0	1.0
2	张建立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	6	2.0	2.0
3	吴小明	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	5	1.0	2.0
4	周圣军	武汉大学动力与机械学院	5	10	2.0	2.0
5	潘拴	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	4	2	1.0	1.0
6	许毅	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0