(Bi0.85Sb0.15)1-xAsx的电输运和红外光学特性研究

• 作者: 侯延辉 史烜岱 吴济穷 朱圣云 蔡丽君 马永昌 黄耀
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外光谱 Bi-Sb合金 As掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 761-766
• 页数: 6页
• 分类号: O469|O43
• 字数: 3631字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170486

摘要

采用熔融法制备了(Bi0.85Sb0.15)1-xAsx合金,用X射线衍射和电子能谱仪进行物相和组份表征,随As掺杂量的增加,晶胞体积收缩,名义掺杂浓度低于8%的样品没有出现杂相.在温度T=100 K以下,母体Bi0.85Sb0.15的直流电阻温度关系呈现半导体特性,而(Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05在12~300 K范围都显示金属性.从红外反射光谱可知,Bi0.85Sb0.15的等离子边在远红外区且随温度下降向低频移动,是窄带隙半导体的热激发行为.室温下(Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05的自由电子等离子频率相比母体移动并不明显,但是散射率增大,在中红外600~2000 cm-1区间光电导谱比Bi0.85Sb0.15高,经分析可知是源于带尾态的出现.综合对电输运和红外光谱的分析可知,(Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05的费米能级应处于扩展态区,而并非定域态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡丽君	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
2	史烜岱	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	吴济穷	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	朱圣云	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	黄耀	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	侯延辉	天津理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0