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摘要:
提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感.基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值.采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度.基于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺对有源电感进行了仿真验证,并分析了该有源电感的电感值、Q值以及线性度.该有源电感适用于对Q值、线性度要求较高的射频电路.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种高Q值高线性度SiGe HBT有源电感
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 有源负阻网络 前馈电流源 有源电感 SiGe HBT 线性度
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 344-347
页数 4页 分类号 TN722.3|TN433
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170413
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王亚飞 北京信息科技大学信息与通信工程学院 46 105 5.0 8.0
2 张万荣 北京工业大学信息学部 105 390 8.0 12.0
3 李振松 北京信息科技大学信息与通信工程学院 23 22 3.0 3.0
4 赵彦晓 北京信息科技大学信息与通信工程学院 13 11 2.0 2.0
5 丁红 北京信息科技大学信息与通信工程学院 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
有源负阻网络
前馈电流源
有源电感
SiGe HBT
线性度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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