Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的 热力学分析

• 作者: 丁召 刘雪飞 杨晨 王一 王继红 罗子江 郎啟智 郭祥 魏节敏
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlGaAs 薄膜 退火
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 36-42
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172718

摘要

在As4束流等效压强为1.2×10?3 Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al0.17 Ga0.83 As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545?C(±1?C);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝T.退火温度540?C条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545?C时,推测退火时间约为55—60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17 Ga0.83 As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.