掺杂Si/SiO2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究

• 作者: 何鹏翔 孙亚飞 张加宏 王丽阳 顾芳
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si/SiO2界面 第一性原理 电子结构 光学性质 掺杂 压强
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 853-860
• 页数: 8页
• 分类号: O471
• 字数: 4744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.05.023

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0.74 eV减小为0.57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张加宏	南京信息工程大学江苏省气象探测与信息处理重点实验室	45	188	8.0	11.0
2	顾芳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	29	120	6.0	9.0
3	孙亚飞	南京信息工程大学物理与光电工程学院	3	8	2.0	2.0
4	何鹏翔	南京信息工程大学物理与光电工程学院	3	8	2.0	2.0
5	王丽阳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	1	4	1.0	1.0