基于GaN HEMT多倍频程高效率功率放大器设计

• 作者: 吕佳梅 孙玲玲 文进才 王永贺 王龙
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 多倍频程 高效率 功率放大器 5G
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201802010

摘要

使用GaN HEMT功率器件,设计了一款多倍频程高效率功率放大器.利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带性能的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的综合设计方法,很好地拓展了匹配网络的带宽性能,从而实现了0.8 ～4.0 GHz(相对带宽133％)多倍频程高效率功率放大器电路.连续波大信号测试结果表明:在0.8～4.0 GHz的频率范围内输出功率为39.5～42.9 dBm,漏极效率为54.20％～ 73.73％,增益为9.4～12.0 dB.在中心频率2.4 GHz未利用线性化技术的情况下使用5 MHz WCDMA调制信号测试得到邻近信道泄漏比(ACLR)为-27.2 dBc.设计的工作频率能够覆盖目前主要的无线通信系统GSM900M、WCDMA、DCS1800 LTE、PCS1900 LTE、3.5GHz WiMAX以及下一代移动通信系统(5G)等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	文进才	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	12	37	4.0	5.0
3	王永贺	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	王龙	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	吕佳梅	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0