溅射时间对碲化铅热电薄膜性能的影响

• 作者: 何浩然 崔劲松 戴敏怡 李竑泽 梁育维 耿志挺
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 碲化铅薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: clkx_2018,（6）
• 页码范围: 703-708
• 页数: 6页
• 分类号: TB3

摘要

碲化铅是一种窄带隙半导体,具有很高的热电性能系数,较高的熔点和较好的化学稳定性,在中温区(500~900 K)是效率最高的热电材料。目前,提高其热电性能的研究主要集中在合金化掺杂、低维化及制备特殊纳米结构等方面。本文利用磁控溅射的方法,制备了碲化铅基热电薄膜,测量了不同薄膜的Seeback系数。同时研究了溅射时间对薄膜热电性能的影响,为磁控溅射制备碲化铅等热电薄膜的工艺改良和优化提供了方向和思路。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿志挺	清华大学材料学院	25	515	10.0	22.0
2	李竑泽	清华大学材料学院	1	0	0.0	0.0
3	崔劲松	清华大学材料学院	1	0	0.0	0.0
4	何浩然	清华大学材料学院	1	0	0.0	0.0
5	戴敏怡	清华大学材料学院	1	0	0.0	0.0
6	梁育维	清华大学材料学院	1	0	0.0	0.0