单管逆变拓扑结构感应加热系统损耗研究

• 作者: 管兴勇
• 来源期刊: 工业加热
• 学科: 工学
• 关键词: 单管逆变 IGBT 开关损耗 磁距
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 加热设备
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TG155.2+1
• 字数: 2690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1639.2018.05.006

摘要

详细阐述了单管并联逆变准谐振拓扑结构感应加热系统的工作原理,通过理论分析,结合实践测试,分析单管并联逆变拓扑结构感应加热系统电磁线圈和功率器件IGBT在三种工作模式下的主要损耗,分析出磁距和损耗之间的关系,并提出在实际设计工作中如何用简单的方法控制和调整磁距.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	管兴勇		1	1	1.0	1.0