单根Ni/NiO核壳纳米线器件的光电特性

• 作者: 刘义 相文峰 胡明皓 赵嵩卿 陈少华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ni/NiO核壳纳米线 光电特性 整流特性 响应时间 恢复时间
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 312-314,332
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.05.002

摘要

利用化学还原法制备了Ni纳米线后经过高温氧化得到了Ni/NiO核壳纳米线,最后利用半导体工艺制备出单根Ni/NiO核壳纳米线器件,并对其光电特性进行了测试分析.I-V曲线测试结果表明器件具有很好的整流特性.在-1V外加偏压下,暗电流为1.6 μA,光电流为15μA,光电流约是暗电流的10倍.在波长为248 nm、功率密度为40 mW/cm2的脉冲光照射下,器件的最大光生电压约为23 mV,响应时间约为1μs.通过曲线拟合发现器件的恢复时间由两部分组成,分别为3.3和25 μs.器件的恢复时间远长于响应时间,这可能是由于Ni/NiO核壳纳米线中大量的缺陷阻碍了光生电子和空穴之间的复合所致.