基于CMOS工艺的太赫兹探测器

• 作者: 徐雷钧 白雪 管佳宁 赵不贿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 多频 片上天线
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 414-418
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.002

摘要

提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响.在高频结构仿真器(HFSS)下对设计的双环差分天线、单环差分天线、圆形开槽天线和菱形天线进行模型与特性参数仿真优化.基于TSMC CMOS 0.18 μm工艺制备了多频太赫兹探测器芯片,该芯片能实现280,290,320,600和806 GHz多频段探测功能.测试结果表明,双环天线结构、圆形开槽天线结构、菱形天线结构和单环差分天线结构的探测器在阈值电压为0.42 V时,最佳响应度分别为366.6,1 286.6,366.3和701.2 V/W,最小噪声等效功率分别为0.578,0.211,0.594和0.261 nW/√Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵不贿	江苏大学电气学院	107	607	12.0	20.0
2	白雪	江苏大学电气学院	32	203	7.0	13.0
3	徐雷钧	江苏大学电气学院	33	121	7.0	10.0
4	管佳宁	江苏大学电气学院	1	0	0.0	0.0