高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备

• 作者: 冯俊波 刘道群 唐波 张鹏 李志华 王桂磊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) pin 绝缘体上硅(SOI)
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 305-311
• 页数: 7页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.05.001

摘要

采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅(SOI)晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器.该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm.光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合.为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采用了聚焦耦合光栅及楔形耦合增强结构,在材料生长方面采用了选择性外延生长法,以提高锗的质量.通过暗电流、响应度、带宽及眼图测试对光电探测器性能进行了表征.测试结果表明在-2V的反向偏压下,尺寸为15μm×4 μtm的光电探测器暗电流低至169 nA,其在波长1530 nm处的最高响应度为0.43 A/W,3 dB带宽高达48 GHz并获得40 Gbit/s的清晰眼图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	220	1605	21.0	32.0
2	李志华	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	10	21	3.0	4.0
3	唐波	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	18	103	6.0	9.0
4	刘道群	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
8	冯俊波	中国电子科技集团公司第三十八研究所	4	10	2.0	3.0
9	王桂磊	中国科学院微电子研究所	2	7	2.0	2.0