低相位噪声和低参考杂散CMOS锁相环的优化设计与实现

• 作者: 卢飒 吴秀山 李丽欣 韩建强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷泵锁相环 相位噪声 参考杂散 环路参数 环路稳定
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 361-365
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 1426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.02.016

摘要

基于Simulink建立的CMOS电荷泵锁相环的动态模型,对电荷泵锁相环的环路参数与环路稳定性的关系进行了仿真与分析,根据分析结果确定了4 GHz锁相环的环路参数,并围绕低相位噪声和低参考杂散设计了锁相环各单元电路结构.该锁相环采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行了流片,芯片面积为675 μm×700 μm.测试的VCO在控制电压为0.3 V~1.5 V时,振荡频率为3.98 GHz~4.3 GHz;当分频比为1036,参考信号频率为4 MHz,锁定状态下锁相环的相位噪声测量值为-120.5 dBc/Hz@100 kHz及-127.5 dBc/Hz@1 MHz;电路参考杂散约为-70 dB,整体性能优良.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢飒	中国计量大学现代科技学院	27	106	6.0	9.0
2	吴秀山	中国计量大学机电工程学院	29	106	5.0	8.0
3	韩建强	中国计量大学机电工程学院	12	55	3.0	7.0
4	李丽欣	中国计量大学机电工程学院	2	3	1.0	1.0