γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制

• 作者: 文林 李豫东 汪朝敏 郭旗
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷耦合器件 电离效应 位移损伤 光谱响应
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 244-250
• 页数: 7页
• 分类号: TP211.6|O472.8
• 字数: 3888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0244

摘要

光谱响应是表征CCD性能的重要参数.为了研究辐射环境对CCD光谱响应产生影响的规律及物理机制,开展了不同粒子辐照实验,对CCD光谱响应曲线的退化形式及典型波长下CCD光响应的退化情况进行了分析.辐射效应对CCD光谱响应的影响可以分为电离总剂量效应和位移效应导致的退化,本文从这两种辐射效应出发,采用60 Co-γ射线及质子两种辐照条件,研究了CCD光谱响应的退化规律.针对460 nm(蓝光)和700 nm(红光)等典型CCD光响应波长,从辐射效应导致的损伤缺陷方面分析了CCD光谱响应退化的物理机制.研究发现,在60Co-γ射线辐照时CCD光谱响应曲线变化是由于暗信号增加导致的,而质子辐照导致CCD对700 nm波长的光响应退化明显大于460 nm波长的光响应,且10 MeV质子导致的损伤比3 MeV质子更明显,表明位移损伤缺陷易导致CCD光谱响应退化.结果表明,电离总剂量效应主要导致CCD光谱响应整体变化,而位移效应则导致不同波长光的响应差异增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文林		3	2	1.0	1.0
2	郭旗		4	4	2.0	2.0
3	汪朝敏		9	12	2.0	3.0
4	李豫东		2	2	1.0	1.0