一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器

• 作者: 朱平 高瑜宏
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS跨阻放大器 低噪声 高增益 列线图法
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 310-315
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.7+7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170407

摘要

提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号.该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18 μm CMOS工艺进行制作.该TIA集成了一个具有10 pF结电容的光电二极管.该TIA的跨阻增益达107.3 dB,带宽为12.5 MHz,输入参考噪声为3.54×10-12A· Hz-1/2,信噪比为8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱平	中北大学仪器与电子学院	30	97	6.0	8.0
2	高瑜宏	中北大学仪器与电子学院	2	8	2.0	2.0