三相四线制软开关SiC逆变器软开关工况分析

• 作者: 何宁 徐德鸿 朱应峰 胡长生
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三相四线制零电压开关逆变器 零电压开关正弦脉宽调制 寄生电容
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 其他主题
• 页码范围: 120-125,142
• 页数: 7页
• 分类号: TM46
• 字数: 3040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.4.120

摘要

逆变电源的开关频率上限受到功率器件的动态损耗限制,导致较大的输出滤波元件的体积.零电压开关正弦脉宽调制(ZVS-SPWM)三相四线制逆变器电路只需引入1个辅助开关和2个较小的无源元件,就可以实现电路中所有开关器件的零电压开关.重点分析了SiC MOSFET寄生电容对零电压开关实现的影响,并在此基础上探讨了等效寄生电容值的提取方法,修正了零电压开关条件和功率器件电流、电压应力的计算值.最后在10 kW SiC MOSFET三相四线制零电压开关逆变器实验平台进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德鸿	浙江大学电气工程学院	170	3009	31.0	50.0
2	胡长生	浙江大学电气工程学院	48	992	13.0	31.0
3	何宁	浙江大学电气工程学院	7	17	3.0	3.0
4	朱应峰	浙江大学电气工程学院	1	1	1.0	1.0