硅纳米晶体的制备、性质及其在光电器件中的应用

• 作者: 倪朕伊 杨德仁 皮孝东
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 纳米晶体 量子限域效应 表面效应 掺杂效应 光电器件
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 十周年专栏
• 页码范围: 491-505
• 页数: 15页
• 分类号: TN3
• 字数: 7195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2018.07.02

摘要

硅纳米晶体作为最重要的元素半导体-硅的一种纳米形式,由于具有独特的光电特性和友好的环境相容性引起了研究者们的广泛关注.近年来,人们围绕着量子限域效应、表面效应和掺杂效应三个最重要的因素对硅纳米晶体的性质开展了研究,并通过三者对硅纳米晶体的电学和光学性能进行调控,使其满足面向印刷电子、硅基集成和生物兼容的高性能光电器件的应用.目前,基于硅纳米晶体的太阳能电池、发光二极管和光电探测器等重要光电器件已经被研制出来.综述了近年来国内外研究者们在硅纳米晶体的制备、性质研究及其在光电器件中的应用所取得的研究进展,并展望了硅纳米晶体在材料性能调控方面的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	皮孝东	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	11	11	3.0	3.0
3	倪朕伊	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	2	0	0.0	0.0