单晶硅太阳电池最高转换效率的模拟预测

• 作者: 何亚丽 孟得娟 张鹏 赵领
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 异质结 太阳电池 模拟
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 255-257
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 2277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.02.028

摘要

利用AFORS-HET软件模拟单晶硅异质结太阳电池的性能,实验完成后显示当加大发射层的厚度后,电池的短波响应会减弱,短路电流也会随之减小.缓冲层厚度不大于30 nm时,电池的优劣波动很大.没有放入单晶硅异质时,效果很差;然而将本征非晶缓冲层放入非晶硅/单晶硅异质结界面处后,提高了电池效率.由该软件模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的转换效率最高会达到32.16％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟得娟		13	29	1.0	5.0
2	张鹏		7	1	1.0	1.0
3	何亚丽		6	0	0.0	0.0
4	赵领		2	0	0.0	0.0