寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制

• 作者: 伍理勋 陆海峰 陈磊 韩洋
• 来源期刊: 汽车电器
• 关键词: SiC MOSFET 寄生电感 开关振荡
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 新能源
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: U469.72
• 语种: 中文

摘要

SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景.但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多.本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响,对基于SiC器件的变换电路PCB设计给予一定的指导,并给出了抑制SiC MOSFET开关振荡的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆海峰	清华大学电机工程与应用电子系	24	525	12.0	22.0
2	陈磊		6	2	1.0	1.0
3	伍理勋		3	3	1.0	1.0
4	韩洋	清华大学电机工程与应用电子系	4	15	2.0	3.0