柔性衬底上使用等离子增强原子层沉积制备的氮化镓薄膜物性分析

• 作者: 仇鹏 何荧峰 刘三姐 卫会云 安运来 宋祎萌 彭铭曾 李美玲 郑新和
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 柔性衬底 等离子增强原子层沉积 反向扩散
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 819-823,827
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.06.013

摘要

采用等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在350℃温度下,在KAPTON柔性衬底上直接生长出多晶GaN薄膜.利用低角度掠入射X射线衍射仪、AFM、SEM、TEM、XPS对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,薄膜呈多晶态,且具有良好的均匀性;薄膜中的N元素全部以N-Ga键形式存在;大部分Ga元素以Ga-N键形式构成GaN;少量的Ga元素分别以Ga-Ga键和Ga-O键形式构成金属镓以及Ga2O3.研究发现,虽然KAPTON具有较好的耐高温性,但GaN会反向扩散进入KAPTON衬底,形成具有一定厚度的GaN扩散层.