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摘要:
在FPGA中,需要采用片上SRAM存储器来进行数据的快速存取.但是在传统的SRAM存储器设计中,SRAM的容量、数据位宽等都是定制设计,难以满足FPGA可配置、高度灵活性的要求.提出一种用于FPGA的可配置SRAM设计,允许FPGA用户通过配置,实现不同数据位宽、不同存储容量的SRAM存储器.可配置SRAM可以适应不同的具体应用,改进了传统SRAM存储器的不足,将各种不同数据位宽下存储资源的利用率提高到88.9%以上.在SMIC 0.15μm工艺下的仿真结果显示,在直通模式下存储器的读出延时为1.67 ns.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种用于FPGA的片上可配置SRAM设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 FPGA SRAM 存储器 可配置
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 33-37
页数 5页 分类号 TN402
字数 2170字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王栋 中国电子科技集团公司第五十八研究所 14 25 3.0 4.0
2 王文 中国电子科技集团公司第五十八研究所 6 83 3.0 6.0
3 曹靓 中国电子科技集团公司第五十八研究所 6 15 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
FPGA
SRAM
存储器
可配置
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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