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平衡式E/F类功率放大器的设计与实现
平衡式E/F类功率放大器的设计与实现
作者:
南敬昌
张鹏俊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
E类功率放大器
逆F类功率放大器
GaN
平衡结构
驻波系数
摘要:
为了解决功率放大器设计过程中存在的效率低和输入/输出端回波损耗较大的问题,设计了一种工作频率为1.5 GHz的平衡式功率放大器.通过采用3 dB定向耦合器对射频信号进行分配及合成,大大降低了输入/输出端的驻波系数,并将逆F类功率放大器的谐波控制网络引入E类功率放大器的匹配电路中.使用ADS对晶体管进行负载牵引和源牵引,得到晶体管的输入/输出阻抗,同时结合晶体管的寄生参数,在输出匹配电路中对二次谐波、三次谐波分别进行开路和短路处理,且为了进一步提高功率放大器的工作性能,在输入电路结构中抑制了二次谐波.选用GaN HEMT器件CGH40010F晶体管,利用ADS软件进行电路仿真,并采用Rogers4350b高频板材制作该功率放大器的实际测试电路板.仿真优化和实测表明:在输入功率为28 dBm时,该功率放大器的输出功率为41.54 dBm,漏极效率为76.99%,功率附加效率(Power additional efficiency,PAE)达到73.59%,输入/输出端驻波系数小于2,同时具有160 M Hz的高效率带宽,且最大输出功率较单管功率放大器提高了3 dB.实测结果与仿真数据有一定的误差,但仍有较好的一致性,满足设计指标要求,验证了设计方法的可行性.该设计方法具有效率高和回波损耗低的优势,提高了功率放大器的设计效率,使它在当今高效绿色节能的射频微波通信系统中具有广阔的应用前景.
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文献信息
篇名
平衡式E/F类功率放大器的设计与实现
来源期刊
工程设计学报
学科
工学
关键词
E类功率放大器
逆F类功率放大器
GaN
平衡结构
驻波系数
年,卷(期)
2018,(2)
所属期刊栏目
通用零部件设计
研究方向
页码范围
237-244
页数
8页
分类号
TN823|TN722
字数
3840字
语种
中文
DOI
10.3785/j.issn.1006-754X.2018.02.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
南敬昌
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
143
665
12.0
15.0
2
张鹏俊
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
2
2
1.0
1.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
E类功率放大器
逆F类功率放大器
GaN
平衡结构
驻波系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
工程设计学报
主办单位:
浙江大学
中国机械工程学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1006-754X
CN:
33-1288/TH
开本:
大16开
出版地:
杭州市天目山路148号
邮发代号:
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
2068
总下载数(次)
5
总被引数(次)
17041
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