SiCMOSFET短路特性

• 作者: 徐克峰 王丹 秦海鸿 董耀文 赵朝会
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOSFET 短路特性 短路保护
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 348-354
• 页数: 7页
• 分类号: TM315
• 字数: 5216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16356/j.1005-2615.2018.03.009

摘要

为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理.首先对 SiC M OSFET 硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对 SiC M OSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC M OSFET 短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵朝会	上海电机学院电气工程学院	63	432	12.0	18.0
2	秦海鸿	南京航空航天大学自动化学院	99	729	14.0	23.0
3	王丹	南京航空航天大学自动化学院	15	74	5.0	8.0
4	董耀文	南京航空航天大学自动化学院	7	31	3.0	5.0
5	徐克峰	南京航空航天大学自动化学院	2	18	2.0	2.0