以沉淀白炭黑为硅源制备硼掺杂碳化硅的研究

• 作者: 安子博 曹宏 李梓烨 薛俊 高峰
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 化学
• 关键词: 碳热还原法 硼 掺杂 β-SiC 沉淀白炭黑 高比表面积 禁带宽度 葡萄糖
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与化学
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: O643
• 字数: 4126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.201803006

摘要

为低成本、规模化制备高比表面积碳化硅,以工业级沉淀白炭黑为硅源,葡萄糖粉剂为碳源,采用简单的碳热还原法制备了硼掺杂高比表面积碳化硅.利用X射线衍射仪、扫描电镜、比表面积测试仪和紫外-可见吸收光谱测试方法对碳化硅的晶型、形貌、表面性质及能带结构进行了表征.分析结果表明:B原子进入SiC晶格并取代Si点位,在1350℃焙烧温度时,SiC具有最高比表面积和较低禁带宽度,随着B/Si摩尔比增大,SiC结晶度提高,比表面积减小,禁带宽度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊	武汉工程大学材料科学与工程学院	56	216	8.0	11.0
3	曹宏	武汉工程大学材料科学与工程学院	74	348	11.0	14.0
9	安子博	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	17	3.0	4.0
10	李梓烨	武汉工程大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
11	高峰	武汉工程大学材料科学与工程学院	4	24	2.0	4.0