1MV杆箍缩二极管辐射特性实验研究

• 作者: 何泱 张思群 曹龙博 王敏华 耿力东 袁建强 谢卫平 赵小明
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 杆箍缩二极管 闪光X射线源 粒子模拟 电子束 箍缩特性
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1512-1518
• 页数: 7页
• 分类号: TL33
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0747

摘要

依据现有的实验室驱动源能力建立杆箍缩二极管(RPD)粒子模拟计算模型,获得了工作电压为1 MV的RPD电参数特性及电子、离子时空分布特性,并设计了RPD实验装置.在1 MV驱动源平台上开展了实验研究,实验中采用B-dot、D-dot、热释光剂量片和SiPin二极管测试了RPD电流、电压、辐射剂量和光脉冲信号,分析了RPD电参数及X射线辐射特性.结果表明,阳极采用φ1.5 mm钨时,1 MV电压下1 m处辐射剂量约1 R,并得出剂量与电压Ud、电流Id的关系式D(R=1 m)=120Ud1.55 ∫Iddt;二极管阻抗范围为26.4～36.7 Ω,空间电荷限制阶段平均阻抗下降率大于2 Ω/ns,磁绝缘阶段平均阻抗下降率小于0.5Ω/ns;光脉冲宽度较电压脉冲宽度约缩短20％～30％,与电压、电流的关系为∝IdUd1.55.实验测试的剂量和光脉冲信号结果与拟合计算式计算结果符合较好.