电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

• 作者: 凌云龙 吴锐 王君玲 王荣
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电子辐照 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 光致发光 少子寿命
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1507-1511
• 页数: 5页
• 分类号: TM914
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0691

摘要

为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律.利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τnr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	34	284	10.0	15.0
5	吴锐	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
9	王君玲	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
13	凌云龙	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0