不同硅晶面指数上的类倒金字塔结构研究与分析

• 作者: 刘尧平 吴俊桃 杜小龙 王燕 赵燕 陈伟 陈全胜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅的晶面检测 硅的晶面指数 类倒金字塔
• 年，卷（期）: 2018,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 316-325
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20181275

摘要

晶体硅作为一种重要的半导体材料,在集成电路、太阳能电池等方面具有广泛的应用.基于各向异性的刻蚀方法,不同晶面指数的硅都可以在表面形成由{111}晶面族组成的正/倒金字塔.本文基于{111}晶面族与(abc)晶面相交构成类倒金字塔结构的特性,建立了硅的晶面指数(abc)与所形成的类倒金字塔结构的数学模型.将硅的晶面指数(abc)分成0≤a≤b<c,0≤a<b=c,a=b=c三种情况进行讨论,分别得到不同晶面指数的类倒金字塔结构.实验结果的扫描电子显微镜图证实了理论计算的准确性.晶面指数与类倒金字塔结构具有一一对应的关系,因此可以根据各向异性刻蚀后的类倒金字塔结构,进行硅的晶面指数进行检测.