基于SOI岛膜结构的高温压力传感器

• 作者: 李奇思 李旺旺 李鑫 杨娇燕 林立娜 梁庭 熊继军 赵丹 雷程
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 压敏电阻 岛膜结构 压力传感器 有限元分析
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 635-641
• 页数: 7页
• 分类号: TP212|TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.09.004

摘要

针对绝缘体上硅(SOI)压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题,采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布,使压敏电阻能够完全布置在应力集中区,从而提高传感器的灵敏度和线性度.使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析,根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位置分布,并完成敏感芯片的制备.对完成的敏感芯片进行封装并进行温度-压力的复合测试,测试结果表明在19～200℃、量程2 MPa范围内,该传感器有较高的灵敏度(0.055 mV/kPa)和线性度(0.995).