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摘要:
本文提出了一种利用不平衡耦合谐振器的反馈电路,实现高效率的S波段基于注入锁定技术高效的MOSFET振荡器,在2.45 GHz可以获得203 W的输出功率和54.18%的漏极效率,其注入信号为输出信号的1/1000,锁定带宽为2.0MHz.相对于传统的大功率微波源,基于注入锁定技术高效的MOSFET振荡器,工作电压低,相位和频率可控性有明显优势,更有利于实现微波化学实验中的均匀加热以及精确的温度控制.
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文献信息
篇名 一种S波段基于注入锁定技术高效的MOSFET大功率微波源
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 AB类放大器 注入锁定振荡器 反馈电路 相位控制
年,卷(期) 2018,(1) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 42-44,51
页数 4页 分类号 TN752
字数 1676字 语种 中文
DOI 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.01.08
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘长军 四川大学电子信息学院 108 700 15.0 23.0
2 刘臻龙 四川大学电子信息学院 5 8 2.0 2.0
3 杨梦琳 四川大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
AB类放大器
注入锁定振荡器
反馈电路
相位控制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
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7
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8712
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