应变Si NMOSFET总剂量效应

• 作者: 廖晨光 郝敏如
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量 阈值电压 隧穿 热载流子 栅电流
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 1-3,17
• 页数: 4页
• 分类号: TN302|TN6
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.09.001

摘要

文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响.仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响.结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的增加以及沟道长度的减小而减小,隧穿栅电流随着栅氧化层厚度的增大及栅介电常数的减小而增大,热载流子栅电流随着沟道中掺杂浓度的减小以及栅电压的增大而增大.同时,模拟仿真了器件沟道中应力和载流子的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝敏如	西安电子科技大学微电子学院	8	33	2.0	5.0
2	廖晨光	西安电子科技大学微电子学院	5	8	2.0	2.0