不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析

• 作者: 刘新宇 杨成樾 汤益丹 田晓丽 白云 董升旭 陈宏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 肖特基接触 X射线衍射(XRD) 势垒不均匀 退火温度
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 625-629,670
• 页数: 6页
• 分类号: O471
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.09.002

摘要

为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压(I-V)及电容-电压(C-V)测试,运用Tung理论模型和“T0反常”中的T0值评价势垒不均匀程度,X射线衍射(XRD)分析肖特基接触的物相组成.分析结果表明,测试温度升高时I-V测试提取的势垒高度接近于C-V测试提取的势垒高度,退火温度500℃及以上时Mo与4H-SiC发生反应,且导致较低的势垒高度.退火温度为600℃时,肖特基接触具有最低的势垒不均匀程度,且此退火温度下势垒高度相对500℃及700℃时较高,物相组成为Mo2C及Mo4.8 Si3 C0.6.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
3	陈宏	中国科学院微电子研究所	34	198	9.0	13.0
7	杨成樾	中国科学院微电子研究所	8	16	3.0	4.0
8	田晓丽	中国科学院微电子研究所	4	22	1.0	4.0
9	董升旭	中国科学院微电子研究所	3	0	0.0	0.0
13	汤益丹	中国科学院微电子研究所	3	0	0.0	0.0