纳秒级电磁脉冲发生器的研制与相关寄生参数研究

• 作者: 刘强 张齐军 袁果
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁脉冲发生器 Marx发生器 MOSFET开关 寄生参数
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 557-564
• 页数: 8页
• 分类号: TN782
• 字数: 4354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13443/j.cjors.2017102402

摘要

为研究瞬态电磁脉冲故障注入对集成电路芯片的影响及其故障机理,基于Marx发生器原理和MOSFET开关特性,研制了一个全固态纳秒级电磁脉冲发生器.基于提出的HSPICE软件仿真等效模型,分析了发生器电路主要寄生参数对MOSFET开关特性的影响,并建立了相应的数学模型,为电磁脉冲发生器的研制提供了设计指南.实验结果表明:建立的数学模型精度为96.7％;基于二级Marx电路的电磁脉冲发生器可产生幅值可调(0～100 V)、脉宽可变(200～2 070 ns)、最快下降沿为32 ns的脉冲信号;在电磁探头下方5 mm处的测试线圈上可测得1 600 mV的感应电动势,并可利用该感应电动势来对芯片引入故障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘强	天津大学微电子学院	36	240	8.0	15.0
3	张齐军	天津大学微电子学院	4	13	2.0	3.0
6	袁果	天津大学微电子学院	1	0	0.0	0.0