金属微粒对GIS中绝缘子冲击闪络特性的影响

• 作者: 孙蕾 张乔根 张璐 王森 王荆 郭安祥
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 气体绝缘开关设备 特快速瞬态过电压 绝缘子 金属微粒 闪络 逆放电
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 绝缘子的积污性能与电气特性专题
• 页码范围: 2807-2814
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20180828006

摘要

高电压等级电力系统中,特快速瞬态过电压(VFTO)引起的GIS绝缘事故日益严重.为探究冲击电压下绝缘子沿面闪络特性和机理,研制了陡前沿冲击试验装置.研究了微粒附着位置及微粒尺寸对绝缘子冲击闪络特性的影响规律.结果表明:正常绝缘子在VFTO下闪络电压较雷电冲击闪络电压高;工程运行气压下,500 kV正常绝缘子VFTO闪络电压较雷电冲击高13％,附着微粒绝缘子的VFTO闪络电压会比雷电冲击闪络电压低近10％.附着微粒位于近高压导体侧时绝缘子闪络电压最低;微粒位于盆式绝缘子沿面一定位置时,随其长度增加,绝缘子闪络电压降低,当微粒大于一定临界长度时,负极性VFTO闪络电压低于负极性雷电冲击闪络电压.VFTO下,附着微粒绝缘子的沿面闪络可用先导和“逆放电”机理来解释.空间电荷积聚和能量注入是形成先导放电的必要条件,高频位移电流和“逆放电”促进了绝缘子沿面闪络过程.