SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

• 作者: 崔伟 王志宽 马羽
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 SiGe HBT SiGe双极工艺 SiGe BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 508-514
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180189

摘要

介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等.概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马羽		1	6	1.0	1.0
2	王志宽		1	6	1.0	1.0
3	崔伟		1	6	1.0	1.0