当前碳化硅半导体器件相关材料特征问题探讨

• 作者: 何钧 刘超 王锡铭
• 来源期刊: 新材料产业
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 透视
• 页码范围: 55-56
• 页数: 2页
• 字数: 3243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19599/j.issn.1008-892x.2018.07.013

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何钧		1	0	0.0	0.0
2	王锡铭		1	0	0.0	0.0
3	刘超		1	0	0.0	0.0