耦合电容器元件击穿的分析与判别

• 作者: 宋守龙
• 来源期刊: 电力电容器与无功补偿
• 关键词: 耦合电容器 元件击穿 电容变化率 tanδ增量
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 电容式电压互感器
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2018.03.017

摘要

在耦合电容器的生产和运行过程中,经常会面临对元件击穿进行分析判别.通过建立元件击穿模型,阐述了元件击穿时耦合电容器的电容变化率、tanδ增量与元件总数n及击穿点电阻的关系;得出了当有k元件击穿时,电容变化率最大约为k/n,tanδ增量最大不会超过k/(2n)的结论.这些结论有助于分析元件击穿时的参数变化,或根据参数变化对元件是否击穿及击穿严重程度进行判别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋守龙		5	21	3.0	4.0