双轴拉伸应变对锗能带退简并的影响

• 作者: 戴中华 李晓娣 胡丽娟 谢耀平 钱一辰 马海涛
• 来源期刊: 上海金属
• 关键词: 应变锗 退简并 能带结构 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料组织与性能
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 字数: 2220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7208.2018.01.007

摘要

采用第一性原理方法研究了沿(001)、(101)和(111)面施加双轴拉伸应变下锗能带退简并行为.研究表明,布里渊区价带顶Γ点退简并行为相对简单,导带底L点退简并行为较复杂,不同L点到Γ点的能量差均不同,所对应能隙也不同.具体而言,沿(001)面施加双轴拉伸不会引起L点电子态退简并;沿(101)和(111)面施加双轴拉伸均可引起L点电子态退简并.因此,计算应变锗能隙时需考察不同导带L点与价带顶Γ点的能量差值.