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摘要:
利用乙酸锌和乌洛托品(六次甲基四胺)的水热反应,在ITO导电基底表面合成ZnO纳米棒阵列薄膜,然后在ZnO纳米棒表面负载CdS量子点,最终制得ZnO/CdS异质纳米棒阵列材料.产品纯度高,结晶度良好.通过光催化降解有机污染物罗丹明B(RhB)的实验,分析了ZnO/CdS异质结构的光电性质.结果表明,经CdS量子点修饰后,ZnO纳米棒阵列的光利用率显著提高,光催化活性也大大改善.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 ZnO/CdS纳米异质结构的合成及其光催化性能研究
来源期刊 山西焦煤科技 学科 工学
关键词 ZnO纳米棒阵列 CdS量子点 纳米异质结构 光催
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 专题综述
研究方向 页码范围 52-57
页数 6页 分类号 TN304
字数 3539字 语种 中文
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ZnO纳米棒阵列
CdS量子点
纳米异质结构
光催
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
山西焦煤科技
月刊
1672-0652
14-1311/TD
大16开
太原市西矿街325号
1977
chi
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4624
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