电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析

• 作者: 刘启坤 刘素平 孔金霞 朱凌妮 熊聪 马骁宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率半导体激光器 失效模式分析 电致发光 突然光学灾变 暗线缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 180-187
• 页数: 8页
• 分类号: TN24
• 字数: 829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0180

摘要

利用电致发光(EL)的方法,研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器.起初,我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD).然而,通过EL实验,发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤,而内部发生了突然光学灾变(COBD),为工艺的进一步改善指明了方向.对90只发生COD的激光器进行EL成像,发现暗线缺陷(DLD)起始于腔面或是激光器内部.DLD是严重的非辐射复合区,通常沿着有源区延伸出几个分支,造成激光器功率急剧下降.详细分析了不同COD模式的特征并进行了对比.并进一步分析了两种典型COD模式发生的原因,然后给出了抑制COD和提高大功率半导体激光器性能的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘素平	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	37	253	7.0	15.0
2	朱凌妮	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	3	15	2.0	3.0
3	孔金霞	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	4	22	2.0	4.0
4	熊聪	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	10	22	4.0	4.0
5	刘启坤	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	1	4	1.0	1.0