反应烧结法制备BN/Si3 N4复相陶瓷的结构和性能

• 作者: 唐学原 李永伟
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结 BN/Si3N4复相陶瓷 氮化率 介电性能
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 317-322
• 页数: 6页
• 分类号: TB321
• 字数: 3779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.201706023

摘要

采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si3 N4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导致样品氮化率下降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低.采用12 MPa成型且B添加量为10％(质量分数)时,经1450℃氮化处理制得的陶瓷以β-Si3 N4相为主,孔隙率为40.12％,在2～18 GHz频率下,其介电常数为3.27～3.58,介电损耗角正切值为1.10×10-3～1.12×10-2.B的加入有效地改善了Si3 N4陶瓷的介电性能,有望应用于透波材料领域.